パラタングステン酸アンモニウムの學術研究のレビューで、パラタングステン酸アンモニウム（APT）の調製方法、およびタングステン粉末、青色酸化タングステンなどの関連記事の調製用原料としてのAPTが収集されました。

アンモニウムタングステンブロンズを製造するためのパラタングステン酸アンモニウムの熱還元＆nbsp;ランプ用タングステン線の品質を改善するためのタングステン線のドーピング元素中のカリウムの均一分布のための條件を作成するために、著者らは大きな表面積、カリウムへの強い吸著および高活性を有するアンモニウムタングステンブロンズ型青タングステンの調製方法を研究した。試験は、アンモニウムタングステンブロンズを調製するための適切な原料は、五タングステン酸アンモニウムであることを決定した。アンモニウムタングステンブロンズの特性に及ぼす反応溫度、反応雰囲気および大気濕度の影響を研究した。それはアンモニウムタングステンブロンズの工業生産のための基礎を提供した。

パラタングステン酸アンモニウムの自己還元による酸化タングステンの製造技術に関する研究 ＆nbsp;高溫で水素を分解するためにパラタングステン酸アンモニウムを使用して、水素はアンモニアまたは水素の非存在下で體系的に溫度、回転爐速度などを研究した多數の実験を通して高溫でパラタングステン酸アンモニウムの分解生成物を自動還元する。青色酸化タングステンの性能に対するプロセスパラメータの影響は、環境の保護、省エネルギーと排出削減、および安全な生産におけるプロセスの適用に焦點を當てています。

パラタングステン酸アンモニウム還元による超厚球狀タングステンパウダーの製造＆nbsp;タングステン酸アンモニウム溶液を原料とし、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋのアルカリ金屬塩を含む添加剤を添加し、濕式水素條件下で還元することにより粗粒球狀タングステン粉末を調製する。パラタングステン酸アンモニウム粉末とタングステン粉末に及ぼすアルカリ金屬塩の種類、含有量および還元時間の影響を調べた。パラタングステン酸アンモニウムおよび粗粒タングステン粉末の形態、組成、相組成および粒度分布は、走査電子顕微鏡、エネルギー分散分光法、X線回折法および検査と分析によって特性化した。タングステン酸アンモニウム溶液を原料として使用すると、添加剤（NaCl、KCl、Li 2 CO 3）は3 g?L -1であり、1000℃の濕った水素條件下で180分間還元すると、良好な流動性、ほぼ球形、結晶を直接調製できる。この粒子は完全で均一な粗粒タングステン粉末を生成する。

パラタングステン酸アンモニウムの熱分解＆nbsp;パラタングステン酸アンモニウムの分解このプロセスは、原料のAPT構造、溫度、雰囲気、分析方法などの要因の影響を受けます。また、その熱分解プロセスは製品の品??質に直接影響します。 X線回折分析（XRD）、質量分析（MS）および赤外分光法（FTIR）と組み合わせた熱分析法（TG ‐ DTA / DSC）によって得られたパラタングステン酸アンモニウムの分解過程をレビューした。研究結果と文獻の違いの説明記事はプロセスが4つの段階に分けることができることを信じる、最初の3つの段階は結晶水の解放、無定形の化合物を形作るためのアンモニアの解放およびアンモニウムタングステンブロンズ（ATB）プロダクトを形作るためのアンモニア、水蒸気の解放ですATBをWO 3に分解するプロセス。

Microwave_ultrasonicパラタングステン酸アンモニウムの相乗的調製＆nbsp; W18Cr4V高速度鋼基板の表面にマグネトロンスパッタリングによりWC傾斜遷移層（WCGC）を作製し、メタンと水素を反応ガスとする熱金屬化學析出（HFCVD）により基板の表面に微細パラタングステン酸アンモニウムを作製した。

マイクロ波分野におけるパラタングステン酸アンモニウムの吸収特性と溫度上昇特性に関する研究マイクロ波場におけるパラタングステン酸アンモニウムの吸収特性と加熱挙動を調べ、パラタングステン酸アンモニウムの吸収特性をマイクロ波キャビティ法により測定した。結果は、パラタングステン酸アンモニウムが2.450GHzのマイクロ波場において良好な吸収特性を持つことを示した。 1000Wのマイクロ波出力と12gの材料量の條件下で、パラタングステン酸アンモニウムをマイクロ波場で25分間か焼し、溫度は980°Cに達し、平均昇溫速度は70℃/分であり、マイクロ波場におけるパラタングステン酸アンモニウムの溫度はマイクロ波出力に比例した。関係

パラタングステン酸アンモニウムの結晶化におけるクロムのドーピングプロセスに関する研究＆nbsp;パラタングステン酸アンモニウムは、クロムがドープされた結晶化プロセスを蒸発させました。クロムがドープされたパラタングステンの粉末を取ることクロムの結晶化プロセスにより生成した酢酸を添加しました。その結果、クロムはパラタングステン酸アンモニウムの前に主としてC（rOH）3の形で沈殿し、沈殿はp H≧9になり始め、p H = 8.5でクロムの沈殿速度は最大値に達し、次にクロムの沈殿 - 溶解は平衡に近い。狀態;パラタングステン酸アンモニウム中のクロムの沈殿は飽和せず、クロム含有量が異なるパラタングステン酸アンモニウムを調製するためにクロムの量を制御することができ;（NH 4）2 WO 4溶液中のC（rOH）3の溶解度は水溶液中のそれより大きく、WO 3の濃度は高いクロムの沈殿速度が遅いほど、初期ＮＨ ４ ＯＨ濃度が高くそして撹拌速度が遅いほど、クロムの沈殿速度は著しく高い。

タングステン酸ナトリウムの結晶からのタングステン酸の製造 - パラタングステン酸アンモニウムと三酸化タングステン＆nbsp;高純度の黒タングステン原料の場合、アルカリ浸出分解では、タングステンの浸出速度を確保するために、アルカリの理論倍數が使用されることがよくあります。しかしながら、過剰のアルカリを回収するためには、過剰のアルカリを回収するだけでなく、不純物を分離する機能をも果たすという結晶化または濃縮結晶化の方法を採用することが必要であり、これは必然的に浸出液中の遊離アルカリの濃度の増加をもたらす。析出した結晶と不純物の一部は、他の母液中の不純物の基部に富んでいます。

パラタングステン酸アンモニウム還元による超厚球狀タングステン粉末の製造＆nbsp;タングステン酸を原料として用意し、Li、Na、Kのアルカリ金屬塩を含む添加剤を加えて、濕った水素條件下で粗粒球狀タングステン粉末を還元します。

パラタングステン酸アンモニウムの粒徑と形態がドープタングステンフィラメントの特性に與える影響工業的製造條件に従ってドープタングステンワイヤの製造のために、異なる粒子形態および粒子サイズを有する２種類のパラタングステン酸アンモニウム（ＡＰＴ）を試験した。

アンモニウムパラコートと六水和物の安定性＆nbsp;溶液濃度が３００?２３０ｇ ／ ｋｇ ＷＯ ３に近くそして溫度が９０℃?９６℃であるとき、六水和物は準安定であることが見出された。結晶化前にＡＰＴ?４Ｈ ２ Ｏ種結晶を添加してもＡＰＴ?６Ｈ ２ Ｏは生成されない。実験データは三次元三元狀態図で示されている。

イオン交換法によるパラタングステン酸アンモニウム結晶化母液のテストと実踐＆nbsp弱酸性條件下でパラタングステン酸アンモニウムの母液中のタングステンを吸著するためのマクロポーラス弱塩基性樹脂の使用

パラタングステン酸アンモニウムのサイクリックレドックスプロセスによるサブミクロン球狀タングステン粉末の調製 ＆nbsp;超純パラタングステン酸アンモニウムを原料とし、ウレタンと特殊純パラタングステン酸アンモニウムを焼成して純タングステンを得、紫色タングステンで還元したタングステン粉末を空気中で三酸化タングステンに酸化した後、水素中で還元してレーザーを使用します。試料分析裝置は粒度分析裝置により分析した。

パラタングステン酸アンモニウム - ナトリウム複塩法を使用してさまざまな粒徑の三酸化タングステンを生成する<この論文では、異なる粒度の三酸化タングステンを製造するためにパラタングステン酸アンモニウム - ナトリウム複塩法を使用しており、様々な粒狀の三酸化タングステンの製造および三酸化タングステンの製造のための複塩法の詳細な説明。

パラタングステン酸アンモニウムのミクロンサイズの微粒子の調製とそのプロセスパラタングステン酸アンモニウムの粒度に及ぼす溫度、溶液濃度および攪拌強度の影響に基づいて、界面活性剤によるミクロンサイズのパラタングステン酸アンモニウムの調製を研究した。

パラタングステン酸アンモニウムからタングステン粉末を製造する過程での粒子サイズの変化

イオン交換によるパラタングステン酸アンモニウム、三酸化タングステン、および青い酸化タングステンの製造方法設備＆nbsp;この記事では、イオン交換プロセスを使用したパラタングステン酸アンモニウム、三酸化タングステン、および青い酸化タングステンの製造について概説し、同時に主要な製造設備の改良された機能と新しい技術を紹介します。

低溫反応による五タングステン酸アンモニウム錯塩の製造に関する研究 ＆nbsp;重硫酸アンモニウムアンモニウム複塩法によるタングステン酸の製造、複塩の調製は通常高溫で行われ、複塩の形成は室溫で完了することができ、三酸化タングステンの回収率は84％であり、pH値が議論されている。添加したアンモニウムの量、三酸化タングステンの溶解度および回収率に対する結晶化時間の影響。

パラタングステン酸アンモニウムに関するさらに詳しい學術研究は、 China Tungsten Online Library をご覧ください。